Ag/TiO2/n-InP/Au Schottky Engel Diyodu. In dieser Studie wurden Ag/TiO2/n-InP/Au-Strukturen durch Sputtern auf einem (100) orientierten, 500 mim dicken n-InP-Halbleiter mit einer Ladungsträgerdichte von 3,13x1018 cm-3 gebildet. Die TiO2-Schichten an der Grenzfläche wurden in einer Sputteranlage in zwei verschiedenen Dicken (60 und 120) aufgewachsen. Einige grundlegende Parameter dieser Strukturen wurden im Temperaturbereich von 120-420 K untersucht. Der Idealitätsfaktor n, die Schottky-Barrierenhöhe B und einige andere Diodenparameter wurden aus den Strom-Spannungs-Messungen der hergestellten Strukturen berechnet. Bei Raumtemperatur betrug die Barrierenhöhe 0,524 eV und der Idealitätsfaktor 1,39 für eine Schichtdicke von 60 und 0,50 eV und 1,42 für eine Schichtdicke von 120. Es wurde festgestellt, dass der Idealitätsfaktor mit steigender Temperatur abnahm, während die Barrierenhöhe zunahm. Die thermoionische Emission, die Cheung-Cheung-Methode und die Norde-Methode wurden angewandt, um die Parameter der Stromleitung zu berechnen, und die Ergebnisse wurden verglichen
