Der N-MOSFET 1W TO92 TN0104N3-G ist ein leistungsstarker N-Kanal-Transistor, der sich ideal für verschiedene Anwendungen in der Elektronik eignet. Mit einer maximalen Drain-Source Spannung von 40V und einem Drainstrom im Impuls von bis zu 2A bietet dieser Transistor eine zuverlässige Leistung und hohe Effizienz. Der unipolare Transistor ist speziell für die Durchflussrichtung von Elektronen optimiert, was ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für Schaltanwendungen macht.
Der Transistor hat eine Verlustleistung von 1W, was ihn besonders geeignet für Anwendungen macht, bei denen eine kompakte Bauweise und hohe Effizienz gefordert sind. Mit einer Gate-Source Spannung von 20V und einem Widerstand im Leitungszustand von 1.8 Ohm gewährleistet der TN0104N3-G eine präzise Steuerung und schnelle Schaltzeiten.
Das Gehäuse im TO92-Format ermöglicht eine einfache THT-Montage, wodurch der Transistor problemlos in verschiedene Schaltungen integriert werden kann. Ob in der Leistungselektronik oder in der Signalverarbeitung, der N-MOSFET 1W TO92 TN0104N3-G ist eine hervorragende Wahl für alle, die auf der Suche nach einem zuverlässigen und leistungsstarken Transistor sind.
